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產(chǎn)品詳情

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產(chǎn)品名稱(chēng)：CY-in-line磁控濺射系統(tǒng)
產(chǎn)品型號(hào)：CY-MS
產(chǎn)品廠(chǎng)商：成越科儀
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簡(jiǎn)單介紹：

CY-in-line磁控濺射系統(tǒng)主要由進(jìn)樣室、濺射室、出樣室、基片傳遞機(jī)構(gòu)、抽氣及真空測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。此外,CY-in-line磁控濺射系統(tǒng)升級(jí)后，可達(dá)到5室結(jié)構(gòu)進(jìn)樣室、三個(gè)獨(dú)立的濺射室、出樣室；增加射頻電源，提供制備介質(zhì)膜的功能，并能實(shí)現(xiàn)連續(xù)鍍膜。

詳情介紹：

CY-in-line磁控濺射系統(tǒng)設(shè)備用途：

用于在晶體硅表面沉積金屬薄膜（Al、Ag、Ni、Cu、Ti、Pd等），并能夠?qū)崿F(xiàn)反應(yīng)濺射，可完成高、低真空下磁控濺射鍍膜工藝，具備較大尺寸和多種尺寸規(guī)格的晶體硅光伏電池薄膜的連續(xù)制備能力。

CY-in-line磁控濺射系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：

型號(hào)

CY-in-line

主濺真空室

方形真空室，尺寸? 1000×700×350mm

進(jìn)樣室

圓筒型，臥室，尺寸? 250×420mm

真空系統(tǒng)配置

分子泵與機(jī)械泵，閘板閥

極限壓力

主濺射室

≦8*10^-5Pa（經(jīng)烘烤除氣后）

進(jìn)樣室

≦6.6*10^-4Pa（經(jīng)烘烤除氣后）

恢復(fù)真空時(shí)間

主濺射室

40分鐘可達(dá)到6.6*10^-4Pa（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_(kāi)始抽氣）

進(jìn)樣室

40分鐘可達(dá)到6.6*10^-3Pa（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_(kāi)始抽氣）

磁控靶組件

矩形靶尺寸約450*45mm；靶與樣品距離80mm可調(diào)

基片加熱臺(tái)

基片結(jié)構(gòu)

尺寸125*125mm或156*156mm，可一次安裝4片樣品

加熱溫度

室溫~400Ｃ±2 C，可控可調(diào)

氣路系統(tǒng)

質(zhì)量流量控制器3路

設(shè)備占地面積

主機(jī)

2655 * 930mm²

電控柜

700 *700mm²（兩個(gè)）

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相關(guān)產(chǎn)品

豫公網(wǎng)安備 41019702002438號(hào)

型號(hào)		CY-in-line
主濺真空室		方形真空室，尺寸? 1000×700×350mm
進(jìn)樣室		圓筒型，臥室，尺寸? 250×420mm
真空系統(tǒng)配置		分子泵與機(jī)械泵，閘板閥
極限壓力	主濺射室	≦8*10^-5Pa（經(jīng)烘烤除氣后）
	進(jìn)樣室	≦6.6*10^-4Pa（經(jīng)烘烤除氣后）
恢復(fù)真空時(shí)間	主濺射室	40分鐘可達(dá)到6.6*10^-4Pa（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_(kāi)始抽氣）
	進(jìn)樣室	40分鐘可達(dá)到6.6*10^-3Pa（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_(kāi)始抽氣）
磁控靶組件		矩形靶尺寸約450*45mm；靶與樣品距離80mm可調(diào)
基片加熱臺(tái)	基片結(jié)構(gòu)	尺寸125125mm或156156mm，可一次安裝4片樣品
	加熱溫度	室溫~400Ｃ±2 C，可控可調(diào)
氣路系統(tǒng)		質(zhì)量流量控制器3路
設(shè)備占地面積	主機(jī)	2655 * 930mm²
	電控柜	700 *700mm²（兩個(gè)）

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產(chǎn)品名稱(chēng)：CY-in-line磁控濺射系統(tǒng)

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